کاوش موضوع کاشت یون

کاشت یون (به انگلیسی: ion implantation) فرایندی در مهندسی مواد است که در آن یون‌های برخی مواد را می‌توان در ماده‌ای دیگر کاشت و ویژگی‌های فیزیکی آن ماده را تغییر داد. این فرایند در ساخت نیمه‌رساناها و پرداخت فازها کاربرد دارد. برای کاشت یون، نیاز به یک منبع یون است که با به بکاربردن شتاب‌دهنده ذره‌ای یون‌ها را می‌توان با سرعت زیاد روی سطح مورد نیاز کاشت. هر یون یک اتم یا مولکول است بنابراین مقدار یون انباشت شده روی سطح برابر با انتگرال جریان بر حسب زمان خواهد بود و به این مقدار دز گفته می‌شود. از آنجا که در کاشت یون جریان در حد میلی‌آمپر است، دز یون کاشته‌شده مقدار کمی‌ست. انرژی یون‌های تابشی پیرامون ۱۰ تا ۵۰۰ کیلو الکترون‌ولت است. انرژی یون، مادهٔ یون و سطح تعیین‌گر میزان عمق نفوذ یون روی سطح‌اند و بین ۱۰ نانومتر تا ۱ میکرومتر است.... بیشتر در ویکی پدیا